NGD8209NT4G
制造厂商：Littelfuse（力特半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
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参数详情：
制造商产品型号：NGD8209NT4G专营国际知名品牌现货元器件，联接全球IC代理商独家优势现货渠道描述：IGBT 410V 12A 125W DPAK-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：445V电流-集电极(Ic)（最大值）：12A电流-集电极脉冲(Icm)：30A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 4.5V，10A功率-最大值：94W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63NGD8209NT4G的全球现货可订数量，可与原始制造商或授权经销商确认。
