NGB8207ABNT4G
制造厂商：Littelfuse（力特半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 365V 20A D2PAK
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参数详情：
制造商产品型号：NGB8207ABNT4G专营国际知名品牌现货元器件，联接全球IC代理商独家优势现货渠道描述：IGBT 365V 20A D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：365V电流-集电极(Ic)（最大值）：20A电流-集电极脉冲(Icm)：50A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 3.7V，10A功率-最大值：165W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABNGB8207ABNT4G的全球现货可订数量，可与原始制造商或授权经销商确认。
